一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。 

  主要技術(shù)特性  
Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH  
電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

介電常數(shù)Σ的測(cè)試
a. 再松開(kāi)二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容
量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，
使Q 表再回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)：
                       Σ＝D2 / D4

2．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試

a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。

c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 －C1

d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)

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式中：CZ 為測(cè)試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測(cè)試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）